توضیحات

ماسفت قدرت  IXYS

نوع طراحی: IXFN 38N100Q2

نوع ترانزیستور: MOSFET

نوع کانال کنترل: N -Channel

حداکثر توان پخش (Pd): 890 وات

حداکثر ولتاژ منبع تخلیه | Vds |: 1000 V

حداکثر ولتاژ منبع دروازه | Vgs |: 30 ولت

حداکثر ولتاژ آستانه دروازه | Vgs (th) |: 5 V

حداکثر جریان تخلیه | Id |: 38 A

حداکثر دمای اتصال (Tj): 150 درجه سانتی گراد

مجموع شارژ دروازه (Qg): 250 nC

زمان افزایش (tr): 300 nS

حداکثر مقاومت تخلیه منبع در حالت (Rds): 0.25 اهم